| Sumario: | En la tesis se presenta un estudio sobre la influencia que tiene en los par�ametros �opticos de los l�aseres semiconductores de Al Ga x 1-x As e In Ga x 1-x N las caracter�isticas de la cavidad �optica, evalu�andose los perfiles rectos y parab�olicos del �indice de refracci�on. Se concluye que para un �unico pozo cu�antico en la zona activa la estructura recta es la que alcanza mayores valores del factor de confinamiento, pero a medida que aumenta la cantidad de pozos se alterna el dominio de una u otra estructura hasta que finalmente la parab�olica alcanza los mayores valores. En lo referido al ancho angular del campo lejano generalmente la estructura parab�olica presenta los mejores resultados. Tambi�en se comprob�o que un aumento del espesor de las capas cladding favorece el comportamiento de los par�ametros �opticos, pero se determin�o que estos par�ametros tambi�en pueden optimizarse con una adecuada combinaci�on de los espesores de las capas que forman la cavidad �optica, reduci�endose as�i el efecto de las anti-gu�ias que se forman en los l�aseres en base a In Ga x 1-x N debido a la dificultad tecnol�ogica para crecer capas cladding de Al Ga x 1-x As muy anchas. Finalmente se obtienen los valores de espesor, contenido de aluminio y posici�on de la capa de Al Ga x 1-x As, usada para el bloqueo de electrones en las estructuras rectas en base a In Ga x 1-x N, que optimizan los par�ametros �opticos de la cavidad l�aser. En general se concluye que esta capa tiene una influencia positiva en la disminuci�on del ancho angular pero sin superar los resultados que en tal sentido se logran con la estructura parab�olica.
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