Estructura electrónica del Cd como impureza en Si

Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Caravaca, María de los Angeles, Sferco, Silvano Juan, Passeggi, Mario César Guillermo
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1989
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p245
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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