Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si...
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Asociación Física Argentina
1989
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Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p245 |
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afa:afa_v01_n01_p2452025-03-11T11:22:42Z Estructura electrónica del Cd como impureza en Si An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):245-248 Caravaca, María de los Angeles Sferco, Silvano Juan Passeggi, Mario César Guillermo Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados no consistentes con la información experimental dadas por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall Fil: Caravaca, María de los Angeles. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina Fil: Sferco, Silvano Juan. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina Fil: Passeggi, Mario César Guillermo. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 1989 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p245 |
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