| Sumario: | La exposición concentrada de un láser de Ar estándar de 514,5 nm de un espectrómetro Raman sobre láminas delgadas de nc-Si, produce una cristalización preferencial tanto de la fase amorfa como de la cristalina. Dicha cristalización da lugar a la fase metaestable XII del silicio (R8), la cual se forma cuando el silicio es sometido a altas presiones (3 - 9 GPa). Los resultados obtenidos con láminas depositadas sobre substratos de vidrio permiten explicar la presencia de la fase R8, la cual estaría producida por la compresión a la que la zona iluminada está sometida por el resto del material al dilatarse por efecto del calentamiento localizado. La intensidad del pico Raman correspondiente a la fase R8 (~353 cmˉ¹) decrece con la fracción de cristalinidad de la lárnina, y dicha fase podría ser parte del material tal como éste fue preparado (VHF-PÉCVD). La presencia de la fase R8 en láminas de nc-Si no ha sido reportada al presente: De acuerdo con los valores obtenidos en nuestras muestras, dicha presencia no afectaría las propiedades optoelectrónicas de las láminas
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