Crecimiento preferencial de una fase metaestable en láminas de silicio nanocristalino

La exposición concentrada de un láser de Ar estándar de 514,5 nm de un espectrómetro Raman sobre láminas delgadas de nc-Si, produce una cristalización preferencial tanto de la fase amorfa como de la cristalina. Dicha cristalización da lugar a la fase metaestable XII del silicio (R8), la cual se form...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Concari, Sonia Beatriz, Buitrago, Román Horacio
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2000
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v12_n01_p210
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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