Medición de densidades de Cadmio atómico e iónico y temperatura electrónica en un láser de recombinación de He-vapor de Cadmio
Un plasma dominado por recombinación electrón- ión es un medio apto para la amplificación y la oscilación de radiación láser en gases nobles y vapores metálicos. Diversos dispositivos han sido probados con tal propósito, desde descargas en arcos a plasmas producidos ópticamente. Nosotros utilizamos...
| Autores principales: | , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1989
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p149 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Un plasma dominado por recombinación electrón- ión es un medio apto para la amplificación y la oscilación de radiación láser en gases nobles y vapores metálicos. Diversos dispositivos han sido probados con tal propósito, desde descargas en arcos a plasmas producidos ópticamente. Nosotros utilizamos una descarga de cátodo hueco en un chorro de He para producir las condiciones necesarias de temperatura y densidad electrónicas a diversas distancias del cátodo hueco y la densidad de átomos e iones de Cadmio por métodos espectroscópicos. Con estos valores se está realizando un modelo que permitirá calcular la ganancia, y compararla con los valores obtenidos experimentalmente |
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