Medición de densidades de Cadmio atómico e iónico y temperatura electrónica en un láser de recombinación de He-vapor de Cadmio
Un plasma dominado por recombinación electrón- ión es un medio apto para la amplificación y la oscilación de radiación láser en gases nobles y vapores metálicos. Diversos dispositivos han sido probados con tal propósito, desde descargas en arcos a plasmas producidos ópticamente. Nosotros utilizamos...
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Lenguaje: | Español |
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1989
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todo:afa_v01_n01_p1492023-10-03T13:18:43Z Medición de densidades de Cadmio atómico e iónico y temperatura electrónica en un láser de recombinación de He-vapor de Cadmio Schinca, D. Tocho, J. Mancini, H. Un plasma dominado por recombinación electrón- ión es un medio apto para la amplificación y la oscilación de radiación láser en gases nobles y vapores metálicos. Diversos dispositivos han sido probados con tal propósito, desde descargas en arcos a plasmas producidos ópticamente. Nosotros utilizamos una descarga de cátodo hueco en un chorro de He para producir las condiciones necesarias de temperatura y densidad electrónicas a diversas distancias del cátodo hueco y la densidad de átomos e iones de Cadmio por métodos espectroscópicos. Con estos valores se está realizando un modelo que permitirá calcular la ganancia, y compararla con los valores obtenidos experimentalmente Fil: Schinca, D.. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Centro de Investigaciones Ópticas (CIOP). Buenos Aires. Argentina Fil: Tocho, J.. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Centro de Investigaciones Ópticas (CIOP). Buenos Aires. Argentina Fil: Mancini, H.. Ministerio de Defensa - CONICET. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Departamento de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones (UNIDEF- DEILAP). Buenos Aires. Argentina 1989 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p149 |
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