Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si...
| Autores principales: | Caravaca, M. A., Sferco, S. J., Passeggi, M. C. G. |
|---|---|
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1989
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p245 |
| Aporte de: |
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