Dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico en "bixbitas” usando ¹⁸¹Hf como sonda
La dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico (GCE) en sitios de catión en los sesquióxidos que cristalizan en la estructura de la bixbita (Mn₂O₃) parece depender fuertemente de la configuración electrónica de la impureza utilizada como sonda de Correlaciones Angulares Perturbad...
| Autores principales: | , , , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1994
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p190 |
| Aporte de: |
| Sumario: | La dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico (GCE) en sitios de catión en los sesquióxidos que cristalizan en la estructura de la bixbita (Mn₂O₃) parece depender fuertemente de la configuración electrónica de la impureza utilizada como sonda de Correlaciones Angulares Perturbadas. El estudio de esta propiedad en el conjunto de estos óxidos presenta la posibilidad de profundizar el conocimiento existente sobre las contribuciones no iónicas al GCE. En este trabajo se presentan los primeros resultados del estudio de la dependencia con la temperatura del GCE en impurezas ¹⁸¹Ta localizadas en los dos sitios de catión (libres de defectos) no equivalentes existentes en estas estructuras. Estos resultados son comparados con los obtenidos con la sonda ¹¹¹Cd en el mismo conjunto de óxidos y analizados a la luz de modelos del sólido dependientes de la temperatura |
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