Dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico en "bixbitas” usando ¹⁸¹Hf como sonda
La dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico (GCE) en sitios de catión en los sesquióxidos que cristalizan en la estructura de la bixbita (Mn₂O₃) parece depender fuertemente de la configuración electrónica de la impureza utilizada como sonda de Correlaciones Angulares Perturbad...
| Autores principales: | Rentería, Mario, Bibiloni, Aníbal Guillermo, Pasquevich, Alberto Felipe, Requejo, Félix Gregorio, Shitu, Jorge Alejandro |
|---|---|
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1994
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p190 |
| Aporte de: |
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