Dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico en "bixbitas” usando ¹⁸¹Hf como sonda

La dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico (GCE) en sitios de catión en los sesquióxidos que cristalizan en la estructura de la bixbita (Mn₂O₃) parece depender fuertemente de la configuración electrónica de la impureza utilizada como sonda de Correlaciones Angulares Perturbad...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Rentería, Mario, Bibiloni, Aníbal Guillermo, Pasquevich, Alberto Felipe, Requejo, Félix Gregorio, Shitu, Jorge Alejandro
Lenguaje:Español
Publicado: 1994
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p190
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