Estudio de las propiedades superficiales e interfasiales de películas monocristalinas de Hg1-xCdxTe crecidas en fase vapor sobre distintos sustratos

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Las aleaciones Hg1-xCdxTe, MCT(x), constituyen desde hace más de cuatro décadas los materiales más importantes para la fabricación de fotodetectores de radiación infrarroja sensibles en el intervalo 1–30 μm. El material utilizado para la fabricación de esos dispositivos debe ser monocristalino y, da...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Gilabert, Ulises Eduardo
Formato: Tesis Doctoral
Lenguaje:Español
Publicado: 2007
Materias:
SEMICONDUCTORES II-VI
HGCDTE
MCT
PELICULAS EPITAXIALES
CINETICA DE CRECIMIENTO
CDTE
CDZNTE
CDTESE
DISLOCACIONES PASANTES
DISLOCACIONES DE DESAJUSTE
PROPIEDADES ELECTRICAS
II-VI SEMICONDUCTORS
ISOVPE
EPITAXIAL FILMS
GROWTH KINETICS
THREADING DISLOCATIONS
MISFIT DISLOCATIONS
ELECTRICAL PROPERTIES
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n4167_Gilabert
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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