|
|
|
|
| LEADER |
03126nam a2200385 a 4500 |
| 001 |
ELB90024 |
| 003 |
FlNmELB |
| 006 |
m o d | |
| 007 |
cr cn||||||||| |
| 008 |
130612s2007 cu s 000 0 spa d |
| 020 |
|
|
|z 9789591607652
|
| 035 |
|
|
|a (MiAaPQ)EBC3176174
|
| 035 |
|
|
|a (Au-PeEL)EBL3176174
|
| 035 |
|
|
|a (CaPaEBR)ebr10239018
|
| 035 |
|
|
|a (OCoLC)928750933
|
| 040 |
|
|
|a FlNmELB
|b spa
|c FlNmELB
|
| 050 |
|
4 |
|a QC23
|b M379 2007eb
|
| 080 |
|
|
|a 53
|
| 100 |
1 |
|
|a Mart�in Alfonso, Juan Antonio.
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Cavidades �opticas con perfil recto y parab�olico del �indice de refracci�on en l�aseres de AlGaAs e InGaN
|h [recurso electronico]
|c Juan Antonio Mart�in Alfonso ; tutores, Mar�ia S�anchez Colina, Francisco Garc�ia Reina.
|
| 260 |
|
|
|a Ciudad de la Habana :
|b Editorial Universitaria,
|c 2007.
|
| 300 |
|
|
|a 137 p.
|
| 520 |
|
|
|a En la tesis se presenta un estudio sobre la influencia que tiene en los par�ametros �opticos de los l�aseres semiconductores de Al Ga x 1-x As e In Ga x 1-x N las caracter�isticas de la cavidad �optica, evalu�andose los perfiles rectos y parab�olicos del �indice de refracci�on. Se concluye que para un �unico pozo cu�antico en la zona activa la estructura recta es la que alcanza mayores valores del factor de confinamiento, pero a medida que aumenta la cantidad de pozos se alterna el dominio de una u otra estructura hasta que finalmente la parab�olica alcanza los mayores valores. En lo referido al ancho angular del campo lejano generalmente la estructura parab�olica presenta los mejores resultados. Tambi�en se comprob�o que un aumento del espesor de las capas cladding favorece el comportamiento de los par�ametros �opticos, pero se determin�o que estos par�ametros tambi�en pueden optimizarse con una adecuada combinaci�on de los espesores de las capas que forman la cavidad �optica, reduci�endose as�i el efecto de las anti-gu�ias que se forman en los l�aseres en base a In Ga x 1-x N debido a la dificultad tecnol�ogica para crecer capas cladding de Al Ga x 1-x As muy anchas. Finalmente se obtienen los valores de espesor, contenido de aluminio y posici�on de la capa de Al Ga x 1-x As, usada para el bloqueo de electrones en las estructuras rectas en base a In Ga x 1-x N, que optimizan los par�ametros �opticos de la cavidad l�aser. En general se concluye que esta capa tiene una influencia positiva en la disminuci�on del ancho angular pero sin superar los resultados que en tal sentido se logran con la estructura parab�olica.
|
| 533 |
|
|
|a Recurso electr�onico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible v�ia World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro.
|
| 650 |
|
4 |
|a F�isica.
|
| 650 |
|
4 |
|a �Optica.
|
| 650 |
|
0 |
|a Physics.
|
| 650 |
|
0 |
|a Lasers.
|
| 653 |
|
|
|a Laseres
|
| 655 |
|
4 |
|a Libros electr�onicos.
|
| 700 |
1 |
|
|a S�anchez Colina, Mar�ia,
|e tut.
|
| 700 |
1 |
|
|a Garc�ia Reina, Francisco,
|e tut.
|
| 710 |
2 |
|
|a e-libro, Corp.
|
| 856 |
4 |
0 |
|u https://elibro.net/ereader/ufasta/90024
|
| 999 |
|
|
|c 167825
|d 167825
|