Captura y liberación de carga en dispositivos MOS con dieléctricos de alto-K

Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer Deposition (ALD) como aislante de puerta son estudiados y caracterizados eléctricamente en relación a su dependencia con la tensión aplicada y el tiempo, mediante diferentes experimentos. Un modelo f...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Sambuco Salomone, Lucas, Carbonetto, Sebastián, García Inza, Mariano, Lipovetzky, José, Redín, Eduardo Gabriel, Campabadal, Francesca, Faigón, Adrián
Formato: Objeto de conferencia
Lenguaje:Español
Publicado: 2011
Materias:
Ingeniería
MOS devices
High-K gate dielectrics
Electron traps
Acceso en línea:http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/121401
Aporte de:
SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata
Descripción
Sumario:Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer Deposition (ALD) como aislante de puerta son estudiados y caracterizados eléctricamente en relación a su dependencia con la tensión aplicada y el tiempo, mediante diferentes experimentos. Un modelo físico basado en un frente de túnel es propuesto con el fin de explicar los resultados obtenidos y poder extraer los parámetros físicos asociados, como la densidad y distribución energética de las trampas responsables de dichos fenómenos de captura.

Ejemplares similares