Intercambio por reacción en fase sólida de impurezas Hf en sitios de catión del semiconductor de ancho Gap C-Tm₂O₃
En este trabajo estudiamos el intercambio de impurezas donoras Hf en sitios sustitucionales de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃. El proceso de dopaje se realizó por reacción en fase sólida, asistida por molido mecánico, de m-HfO₂ (activado por irradiación neutrónica) y de C-Tm₂O₃. Atomo...
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| Autores principales: | , , |
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| Formato: | Articulo |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2003
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/129501 |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo estudiamos el intercambio de impurezas donoras Hf en sitios sustitucionales de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃. El proceso de dopaje se realizó por reacción en fase sólida, asistida por molido mecánico, de m-HfO₂ (activado por irradiación neutrónica) y de C-Tm₂O₃. Atomos <sup>181</sup>Ta, obtenidos en el decaimiento (β‘ del <sup>181</sup>Hf (indistinguible de los átomos de Hf inactivos desde el punto de vista del intercambio iónico), fueron utilizados como sondas en los experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo realizados luego de cada etapa del proceso de dopaje. Las interacciones hiperfmas medidas en sitios <sup>181</sup>Ta permitieron la caracterización del gradiente de campo eléctrico (GCE) en sitios representativos de la localización del Hf en cada etapa del proceso. La eficiencia y el carácter sustitucional del proceso de intercambio es discutido y demostrado a la luz de una sistemática establecida para GCEs en óxidos de tierras raras isoestructurales (bixbitas). |
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