Análisis de la degradación de celdas y paneles fotovoltaicos con PC1D y modelo de dos diodos
Se analizaron las curvas I-V a oscuras de celdas solares y módulos fotovoltaicos de silicio monocristalino, expuestos a la intemperie por 8 años, mediante el modelo de dos diodos y la simulación con PC1D. Si bien las curvas IV presentaban diferencias notables, en el conjunto de parámetros analizados...
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| Autores principales: | , , , , |
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| Formato: | Articulo Comunicacion |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2006
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/88643 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se analizaron las curvas I-V a oscuras de celdas solares y módulos fotovoltaicos de silicio monocristalino, expuestos a la intemperie por 8 años, mediante el modelo de dos diodos y la simulación con PC1D. Si bien las curvas IV presentaban diferencias notables, en el conjunto de parámetros analizados se encontró que el incremento de la corriente de saturación de recombinación, obtenida ajustando las curvas con el modelo de dos diodos, está relacionado a la disminución de la vida media de recombinación de portadores en la zona de la juntura, estimada por PC1D. |
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