HfO2 based memory devices with rectifying capabilities

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Quinteros, C., Zazpe, R., Marlasca, F.G., Golmar, F., Casanova, F., Stoliar, P., Hueso, L., Levy, P., GIA, GAIANN, CAC-CNEA. San Martín, Bs. As, AR, CIC nanoGUNE. Donostia-San Sebastián, ES, INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires, AR, IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao, ES, Université de Nantes. IMN, CNRS. Nantes, FR, ECyT, UNSAM. San Martín, Bs. As., AR
Formato: article
Lenguaje:Inglés
Publicado: American Institute of Physics 2014
Materias:
Dispositivos electrónicos
Capacitores
Electrodos
Aislación
Metales
Oxidos
Resistencia eléctrica
Voltaje
Mediciones eléctricas
Acceso en línea:http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH01b2/9c9f79a6.dir/doc.pdf
Aporte de:
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) de INTI

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