Fil: Messier, J. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Guardado en:
| Autores principales: | Messier, J., Merlo Flores, J. |
|---|---|
| Formato: | ARTÍCULO CIENTÍFICO Versión publicada |
| Lenguaje: | Inglés |
| Publicado: |
American Chemical Society
1963
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://www.cnea.gob.ar/nuclea/handle/10665/2045 |
| Aporte de: |
Ejemplares similares
-
Temperature dependence of hall mobility and μh/ μd for Si.
por: Messier, J., et al.
Publicado: (1963) -
Formation a base temperature de defauts dans le silicium N bombarde par des rayons γ note
por: Messier, J, et al.
Publicado: (1964) -
High Temperature Drift Mobilities in High Resistivity Silicon
por: Caselli, E., et al. -
High Temperature Drift Mobilities in High Resistivity Silicon
por: Caselli, Eduardo, et al.
Publicado: (1986) -
Search for the Standard Model Higgs boson decay to μ+μ− with the ATLAS detector
por: Alconada Verzini, María Josefina, et al.
Publicado: (2014)