Implantación por retroceso
Investigamos la posibilidad de dopar semiconductores mediante implantación por retroceso durante irradiación electrónica observando la variación de las propiedades eléctricas de los materiales. Construimos barreras tipo Schottky A u/p-Si y estructuras Sn/p-PbTe, que luego fueron irradiadas con elect...
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Asociación Física Argentina
1990
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p238 |
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afa:afa_v02_n01_p2382025-03-11T11:23:15Z Implantación por retroceso An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1990;01(02):238-241 Meyer, G. Saura, J. Investigamos la posibilidad de dopar semiconductores mediante implantación por retroceso durante irradiación electrónica observando la variación de las propiedades eléctricas de los materiales. Construimos barreras tipo Schottky A u/p-Si y estructuras Sn/p-PbTe, que luego fueron irradiadas con electrones de 2.65 y 25 Mev de un acelerador lineal. Detectamos el nivel donar de Au en Si en las barreras irradiadas con 25 MeV utilizando la técnica de espectroscopía de niveles profundos, midiendo transitorios de corriente de fuga. La estructura Sn/p-PbTe formó una barrera de corriente rectificante luego de ser irradiada con 25 MeV, presumiblemente por la implantación de Sn. Estimamos que el método es útil para dopar cualquier semiconductor, aumentando el interés en la técnica si pudiera ser removido el daño producido por la irradiación Fil: Meyer, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Fil: Saura, J.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Asociación Física Argentina 1990 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p238 |
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Investigamos la posibilidad de dopar semiconductores mediante implantación por retroceso durante irradiación electrónica observando la variación de las propiedades eléctricas de los materiales. Construimos barreras tipo Schottky A u/p-Si y estructuras Sn/p-PbTe, que luego fueron irradiadas con electrones de 2.65 y 25 Mev de un acelerador lineal. Detectamos el nivel donar de Au en Si en las barreras irradiadas con 25 MeV utilizando la técnica de espectroscopía de niveles profundos, midiendo transitorios de corriente de fuga. La estructura Sn/p-PbTe formó una barrera de corriente rectificante luego de ser irradiada con 25 MeV, presumiblemente por la implantación de Sn. Estimamos que el método es útil para dopar cualquier semiconductor, aumentando el interés en la técnica si pudiera ser removido el daño producido por la irradiación |
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