Implantación por retroceso

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Investigamos la posibilidad de dopar semiconductores mediante implantación por retroceso durante irradiación electrónica observando la variación de las propiedades eléctricas de los materiales. Construimos barreras tipo Schottky A u/p-Si y estructuras Sn/p-PbTe, que luego fueron irradiadas con elect...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Meyer, G., Saura, J.
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1990
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p238
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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