Estructura electrónica de defecto profundo y vacancia neutra en silicio mediante un método de primeros principios

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Mediante la teoría de la funcional densidad, pseudopotenciales escalares relativistas conservadores de la norma, se han estudiado en un esquema autoconsistente, la estructura electrónica del defecto Cd en Silicio en sitio sustitucional así como la vacancia neutra en silicio Si:V°. Mediante el método...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Casali, Ricardo Antonio, Caravaca, María de los Angeles
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p297
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v05_n01_p2972025-03-11T11:25:54Z Estructura electrónica de defecto profundo y vacancia neutra en silicio mediante un método de primeros principios An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):297-303 Casali, Ricardo Antonio Caravaca, María de los Angeles Mediante la teoría de la funcional densidad, pseudopotenciales escalares relativistas conservadores de la norma, se han estudiado en un esquema autoconsistente, la estructura electrónica del defecto Cd en Silicio en sitio sustitucional así como la vacancia neutra en silicio Si:V°. Mediante el método de supercelda se simuló el defecto aislado. Se estudio la estructura de bandas de la supercelda en direcciones de alta simetría. Se analiza el comportamiento del gas de electrones de valencia de ambos sistemas respecto al silicio puro. Se halló: a) alta concentración espacial de la perturbación en la densidad de carga tanto en Si:Cd como en Si:V°, b) un nivel triplemente degenerado en G y R para ambos sistemas que se separa dando lugar a una banda de poca dispersión en la dirección Γ→R State of the art first principles pseudopotential in the local density approximation of the electronic structure of Cd in silicon in the substitutional site and neutral vacancy are presented. We have calculated, within the supercell approximation the band structure in high symmetry direction of both systems and they are compared with the pure silicon one. We also present valence charge densities in the plane (110) for the systems and their differences with respect to pure Si. Charge density contours in Si:Cd exhibit high concentration of perturbation and transfer of electrons of Cd to first neighbors. A low dispersion band in the Γ→R direction was found, giving a resonance in the gap Fil: Casali, Ricardo Antonio. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas, Naturales y Agrimensura (UNNE-FACENA). Corrientes. Argentina Fil: Caravaca, María de los Angeles. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas, Naturales y Agrimensura (UNNE-FACENA). Corrientes. Argentina Asociación Física Argentina 1993 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p297
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