| Sumario: | Mediante la teoría de la funcional densidad, pseudopotenciales escalares relativistas conservadores de la norma, se han estudiado en un esquema autoconsistente, la estructura electrónica del defecto Cd en Silicio en sitio sustitucional así como la vacancia neutra en silicio Si:V°. Mediante el método de supercelda se simuló el defecto aislado. Se estudio la estructura de bandas de la supercelda en direcciones de alta simetría. Se analiza el comportamiento del gas de electrones de valencia de ambos sistemas respecto al silicio puro. Se halló: a) alta concentración espacial de la perturbación en la densidad de carga tanto en Si:Cd como en Si:V°, b) un nivel triplemente degenerado en G y R para ambos sistemas que se separa dando lugar a una banda de poca dispersión en la dirección Γ→R
|
|---|