Estructura electrónica de defecto profundo y vacancia neutra en silicio mediante un método de primeros principios
Mediante la teoría de la funcional densidad, pseudopotenciales escalares relativistas conservadores de la norma, se han estudiado en un esquema autoconsistente, la estructura electrónica del defecto Cd en Silicio en sitio sustitucional así como la vacancia neutra en silicio Si:V°. Mediante el método...
Autores principales: | Casali, Ricardo Antonio, Caravaca, María de los Angeles |
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Formato: | Artículo publishedVersion |
Lenguaje: | Español |
Publicado: |
Asociación Física Argentina
1993
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Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p297 |
Aporte de: |
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