Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante
En este trabajo se muestra que un modelo sencillo para la corriente de túnel a través del óxido de puerta en una estructura polySi-SiO₂-Si reproduce fielmente los transitorios de la corriente asociados al fenómeno de atrapamiento-desatrapamiento de carga en el aislante. El mismo se basa en una expre...
| Autores principales: | Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor |
|---|---|
| Formato: | Artículo publishedVersion |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Asociación Física Argentina
1996
|
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p163 |
| Aporte de: |
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