Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante

por Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor
Publicado 1996

Generación de estados superficiales en la interface SiON-Si por inyección túnel en transistores PMOS

por Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigon, Adrián Néstor
Publicado 1993

Túnel Fowler-Nordheim en estructuras MOS con carga atrapada en el aislante

por Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel, Faigón, Adrián Néstor
Publicado 1995

Simulación de las corrientes de túnel en estructuras Al-SiON-Si a partir de un modelo semiempírico

por Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel, Faigon, Adrián Néstor
Publicado 1994

Generación de estados superficiales en la interface SiON-Si por inyección túnel en transistores PMOS

por Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor
Publicado 1993

Túnel Fowler-Nordheim en estructuras MOS con carga atrapada en el aislante

por Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel, Faigón, Adrián Néstor
Publicado 1995

Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante

por Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor
Publicado 1996

Simulación de las corrientes de túnel en estructuras Al-SiON-Si a partir de un modelo semiempírico

por Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel, Faigón, Adrián Néstor
Publicado 1994

Creación de trampas y estados de interfase en películas delgadas de oxinitruro de silicio en estructuras M.O.S.

por Faigon, Adrián Néstor, Stravoni, A., Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel
Publicado 1990

Túnel en estructuras aluminio-oxinitruro de silicio-silicio

por Faigon, Adrián Néstor, Straboni, A., Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel
Publicado 1991

Túnel en estructuras aluminio-dióxido de silicio-silicio

por Faigon, Adrián Néstor, Campabadal, Francesca, Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel
Publicado 1992

Creación de trampas y estados de interfase en películas delgadas de oxinitruro de silicio en estructuras M.O.S.

por Faigón, Adrián Néstor, Stravoni, A., Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel
Publicado 1990

Túnel en estructuras aluminio-oxinitruro de silicio-silicio

por Faigón, Adrián Néstor, Straboni, A., Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel
Publicado 1991

Túnel en estructuras aluminio-dióxido de silicio-silicio

por Faigón, Adrián Néstor, Campabadal, Francesca, Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel
Publicado 1992

Caracterización eléctrica de dispositivos MOSFET irradiados con fuente de ⁶⁰Co

por Lombardi, Rina Marta Ana, Redin, Eduardo Gabriel, Vercik, Andrés, Faigón, Adrián Néstor
Publicado 1997

Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma

por Lombardi, Rina Marta Ana, Palumbo, Félix, Redin, Eduardo Gabriel, Rus, Daniel, Faigón, Adrián Néstor
Publicado 2000

Aplicación del modelo de la corriente de subumbral para determinación de estados superficiales rápidos

por Lombardi, Rina Marta Ana, Redin, Eduardo Gabriel, Palumbo, Félix, Boschan, Alejandro, Faigón, Adrián Néstor
Publicado 1998

Diseño de sensores diferenciales MOS con amplificación y su aplicación a dosimetría

por Carbonetto, Sebastián, Lipovetzky, José, Garcia Inza, Mariano Andrés, Sambuco Salomone, Lucas, Redin, Eduardo Gabriel, Faigon, Adrián
Publicado 2011

Captura y liberación de carga en dispositivos MOS con dieléctricos de alto-K

por Sambuco Salomone, Lucas, Carbonetto, Sebastián, García Inza, Mariano, Lipovetzky, José, Redín, Eduardo Gabriel, Campabadal, Francesca, Faigón, Adrián
Publicado 2011