Puntos cuánticos semiconductores : efectos de forma y confinamiento dieléctrico

En la actualidad, y gracias al avance de las técnicas experimentales, es posible construir puntos cuánticos semiconductores (PCs) con diversas geometrías (esférica, cúbica, piramidal) que en general están inmersos en una matriz con propiedades dieléctricas diferentes a las del propio PC. En este tra...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Bolcatto, Pablo Guillermo, Proetto, César Ramón
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1998
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v10_n01_p231
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v10_n01_p2312025-03-11T11:29:55Z Puntos cuánticos semiconductores : efectos de forma y confinamiento dieléctrico An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1998;01(10):231-234 Bolcatto, Pablo Guillermo Proetto, César Ramón En la actualidad, y gracias al avance de las técnicas experimentales, es posible construir puntos cuánticos semiconductores (PCs) con diversas geometrías (esférica, cúbica, piramidal) que en general están inmersos en una matriz con propiedades dieléctricas diferentes a las del propio PC. En este trabajo hemos estudiado el efecto combinado que tanto la forma como el confinamiento dieléctrico producen sobre las propiedades electrónicas de estos sistemas. Todas las propiedades fueron analizadas utilizando la aproximación de masa efectiva, suponiendo que el electrón y el hueco se encuentran confinados en el punto cuántico por barreras de potencial infinitas haciendo uso de la aproximación de confinamiento fuerte, que permite el cálculo de las interacciones a partir de un enfoque perturbativo. Encontramos que a pesar de que la densidad de cargas polarizadas sobre la superficie del PC cúbico es altamente inhomogénea, las propiedades electrónicas son prácticamente independientes de la forma para todo el rango de contraste dieléctrico considerado The combined effect of shape and dielectric mismatch between dot and matrix on several electronic properties of semiconductor quantum dots have been studied. In particular, the electronic properties that have been analyzed are the polarization self-energy corrections to single-particle energies, excitonic Coulomb energies, and Coulomb blockade energies. It has been found that, in spite of the highly non-homogeneous polarized charge density induced at the boundaries of the cubic quantum dot, the electronic properties are essentially independent on the dot shape for all the range of dielectric mismatch Fil: Bolcatto, Pablo Guillermo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. Instituto Balseiro (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Fil: Proetto, César Ramón. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. Instituto Balseiro (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Asociación Física Argentina 1998 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v10_n01_p231
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