Caracterización de películas delgadas de ZnO dopado con Al₂O₃ depositadas por la técnica de sputtering RF

Los filmes de óxido de zinc dopados con aluminio (ZnO:Al), material utilizado como electrodo frontal en celdas solares, se depositaron en una unidad de erosionado catódico con RF (sputtering RF). Se utilizó como electrodo una pastilla comercial de ZnO/Al₂O₃ con 97,1/2,9 % en peso. Se dispuso de una...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Furlani, Mirta Gladis, Buitrago, Román Horacio
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2000
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v12_n01_p236
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v12_n01_p2362025-03-11T11:30:47Z Caracterización de películas delgadas de ZnO dopado con Al₂O₃ depositadas por la técnica de sputtering RF An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2000;01(12):236-239 Furlani, Mirta Gladis Buitrago, Román Horacio Los filmes de óxido de zinc dopados con aluminio (ZnO:Al), material utilizado como electrodo frontal en celdas solares, se depositaron en una unidad de erosionado catódico con RF (sputtering RF). Se utilizó como electrodo una pastilla comercial de ZnO/Al₂O₃ con 97,1/2,9 % en peso. Se dispuso de una fuente de RF de 13,56 MHz con un amplificador de potencia de 50-300 Vatios y de argón de alta pureza como gas de reacción. Para eliminar las impurezas superficiales del blanco, se realizó un pre-sputtering. La temperatura del sustrato, la distancia entre electrodos, la presión de argón, el tiempo de reacción y la potencia de RF aplicada se variaron para estudiar las propiedades estructurales y electro-ópticas. La transmitancia óptica se registró con un espectrofotómetro UV-VIS y los espesores se calcularon a partir de los espectros de transmisión. La resistencia de lámina de los filmes de óxido de zinc se midió por el método directo. Se encontró una fuerte dependencia de la transmitancia directa y de la conductividad con la temperatura del sustrato y la presión del gas de reacción. Al-doped zinc oxide (ZnO:Al) films used as front electrode in solar cells have been deposited using RF sputtering. A commercial target made of ZnO/Al2O3 (97.1/2.9% in weight) was used. Sputtering deposition was carried out using a RF source of 13.56 MHz with a power amplifier of 50-300 W and high purity argon as reaction gas. Pre-sputtering was carried out to eliminate the superficial impurities of the target. Substrate temperature, target-substrate distance, total pressure, reaction time and the applied RF power have been varied to study the structural and electro-optic properties.of TCO thin films. The optical transmittance of the films was registered using an UV-VIS spectrophotometer and the thickness were calculated from the transmission spectra. The sheet resistance have been measured by the direct method. The substrate temperature and reaction gas pressure dependence of the direct transmittance and conductivity is strong Fil: Furlani, Mirta Gladis. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 2000 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v12_n01_p236
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