Constante dieléctrica de óxidos de semiconductores tipo III-V
Se presentan cálculos de la constante dieléctrica de óxidos de semiconductores cuya coordinación local es del mismo tipo que el SiO₂ (a - quartz). Se analizan dos modelos: el molecular y el dieléctrico de Philips y Van Vechten. Se concluye que este último permite explicar razonablemente los valores...
Guardado en:
| Autores principales: | , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1989
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p302 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se presentan cálculos de la constante dieléctrica de óxidos de semiconductores cuya coordinación local es del mismo tipo que el SiO₂ (a - quartz). Se analizan dos modelos: el molecular y el dieléctrico de Philips y Van Vechten. Se concluye que este último permite explicar razonablemente los valores experimentales de ε ͚ medidos para estos sistemas. Se analizan los posibles efectos no incluídos en el modelo molecular (campo local, por ejemplo) responsables del mal acuerdo de este modelo con los resultados experimentales |
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