Crecimiento de Zn In₂ S₄ en condiciones anhidras
Se han crecido cristales del calcogenuro Zn In₂ S₄ por el método de transporte en fase vapor (con I₂ como elemento transportador) en condiciones anhidras, con el fin de comparar distancias interplanares que surgen de sus espectros de rayos X (método de Debye-Scherrer) con las de la tarjeta JCPDS 24-...
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Autores principales: | , , , |
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Lenguaje: | Español |
Publicado: |
1990
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Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p227 |
Aporte de: |
Sumario: | Se han crecido cristales del calcogenuro Zn In₂ S₄ por el método de transporte en fase vapor (con I₂ como elemento transportador) en condiciones anhidras, con el fin de comparar distancias interplanares que surgen de sus espectros de rayos X (método de Debye-Scherrer) con las de la tarjeta JCPDS 24-1449. Se intenta establecer el efecto de una posible incorporación de agua en la estructura del compuesto |
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