Relación entre propiedades mecánicas e ionicidad en semiconductores II-V y II-VI
En una serie de materiales pertenecientes a los grupos de semiconductores III-V y II-VI y que presentaban todos la misma estructura cristalina (tipo diamante-blenda de Cinc, polares) aunque con uniones atómicas de diferentes proporciones de carácter iónico y covalente, se investigó la dependencia en...
Guardado en:
| Autores principales: | , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1990
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p230 |
| Aporte de: |
| Sumario: | En una serie de materiales pertenecientes a los grupos de semiconductores III-V y II-VI y que presentaban todos la misma estructura cristalina (tipo diamante-blenda de Cinc, polares) aunque con uniones atómicas de diferentes proporciones de carácter iónico y covalente, se investigó la dependencia entre la energía de fractura (generada por indentación con microdurómetro Vickers) y la ionicidad. Se estudió la velocidad de propagación de las fracturas (iniciadas en la microimpronta) a temperatura ambiente por microscopía óptica y microscopía electrónica de barrido. Se consideró, además, el efecto del medio en el que se efectuaba la indentación (agua, alcohol etílico, acetona y aceite de siliconas) sobre la propagación de las microfisuras. |
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