Implantación por retroceso

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Investigamos la posibilidad de dopar semiconductores mediante implantación por retroceso durante irradiación electrónica observando la variación de las propiedades eléctricas de los materiales. Construimos barreras tipo Schottky A u/p-Si y estructuras Sn/p-PbTe, que luego fueron irradiadas con elect...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Meyer, G., Saura, J.
Lenguaje:Español
Publicado: 1990
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p238
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id todo:afa_v02_n01_p238
record_format dspace
spelling todo:afa_v02_n01_p2382023-10-03T13:19:25Z Implantación por retroceso Meyer, G. Saura, J. Investigamos la posibilidad de dopar semiconductores mediante implantación por retroceso durante irradiación electrónica observando la variación de las propiedades eléctricas de los materiales. Construimos barreras tipo Schottky A u/p-Si y estructuras Sn/p-PbTe, que luego fueron irradiadas con electrones de 2.65 y 25 Mev de un acelerador lineal. Detectamos el nivel donar de Au en Si en las barreras irradiadas con 25 MeV utilizando la técnica de espectroscopía de niveles profundos, midiendo transitorios de corriente de fuga. La estructura Sn/p-PbTe formó una barrera de corriente rectificante luego de ser irradiada con 25 MeV, presumiblemente por la implantación de Sn. Estimamos que el método es útil para dopar cualquier semiconductor, aumentando el interés en la técnica si pudiera ser removido el daño producido por la irradiación Fil: Meyer, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Fil: Saura, J.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina 1990 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p238
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv Español
description Investigamos la posibilidad de dopar semiconductores mediante implantación por retroceso durante irradiación electrónica observando la variación de las propiedades eléctricas de los materiales. Construimos barreras tipo Schottky A u/p-Si y estructuras Sn/p-PbTe, que luego fueron irradiadas con electrones de 2.65 y 25 Mev de un acelerador lineal. Detectamos el nivel donar de Au en Si en las barreras irradiadas con 25 MeV utilizando la técnica de espectroscopía de niveles profundos, midiendo transitorios de corriente de fuga. La estructura Sn/p-PbTe formó una barrera de corriente rectificante luego de ser irradiada con 25 MeV, presumiblemente por la implantación de Sn. Estimamos que el método es útil para dopar cualquier semiconductor, aumentando el interés en la técnica si pudiera ser removido el daño producido por la irradiación
author Meyer, G.
Saura, J.
spellingShingle Meyer, G.
Saura, J.
Implantación por retroceso
author_facet Meyer, G.
Saura, J.
author_sort Meyer, G.
title Implantación por retroceso
title_short Implantación por retroceso
title_full Implantación por retroceso
title_fullStr Implantación por retroceso
title_full_unstemmed Implantación por retroceso
title_sort implantación por retroceso
publishDate 1990
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p238
work_keys_str_mv AT meyerg implantacionporretroceso
AT sauraj implantacionporretroceso
_version_ 1807322853591220224

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