Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte
Como una extensión de un trabajo previo, se utiliza una aproximación de ligadura fuerte para analizar el comportamiento dieléctrico de volúmen e interfaces de semiconductores. En esta oportunidad, se incluyen cálculos con parámetros que tienen en cuenta interacciones hasta segundos vecinos y se prop...
Guardado en:
| Autores principales: | , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1990
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p242 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Como una extensión de un trabajo previo, se utiliza una aproximación de ligadura fuerte para analizar el comportamiento dieléctrico de volúmen e interfaces de semiconductores. En esta oportunidad, se incluyen cálculos con parámetros que tienen en cuenta interacciones hasta segundos vecinos y se proponen diferentes modelos electrostáticos simples para describir la densidad de carga inducida alrededor de los átomos. En particular, se calcula la función dieléctrica para C, Si, Ge, As Ga y AsAl, observándose un acuerdo razonable con cálculos más sofisticados. Asimismo, se obtiene la discontinuidad de banda y el apantallamiento en la interface AsGa- As Al (100), y se correlaciona este apantallamiento con propiedades de ambos semiconductores. Los resultados presentados dan un nuevo respaldo al uso del modelo de ligadura fuerte autoconsistente para el análisis de propiedades dieléctricas de volúmen e interfaces de semiconductores |
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