Rol de los estados superficiales en la formación de la barrera de Schottky
Estudiamos la influencia de los estados superficiales inducidos por quimisorción (EIQ) sobre la posición del nivel de Fermi Ef, en la banda prohibida durante la formación de la interfaz metal-semiconductor. Se distinguen dos etapas en la evolución del mismo: 1) evolución rápida, determinada por los...
Guardado en:
| Autores principales: | , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1991
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v03_n01_p079 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Estudiamos la influencia de los estados superficiales inducidos por quimisorción (EIQ) sobre la posición del nivel de Fermi Ef, en la banda prohibida durante la formación de la interfaz metal-semiconductor. Se distinguen dos etapas en la evolución del mismo: 1) evolución rápida, determinada por los EIQ que desplazan Ef, hacia el centro de la brecha para cubrimientos θ < 0,01 monocapas; 2) evolución lenta (etapa final), determinada por la interacción dipolar que desplaza Ef, nuevamente hacia las bandas hasta alcanzar su posición final una vez ocurrida la metalización |
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