Rol de los estados superficiales en la formación de la barrera de Schottky
Estudiamos la influencia de los estados superficiales inducidos por quimisorción (EIQ) sobre la posición del nivel de Fermi Ef, en la banda prohibida durante la formación de la interfaz metal-semiconductor. Se distinguen dos etapas en la evolución del mismo: 1) evolución rápida, determinada por los...
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Autores principales: | Mirabella, D., Deza, Roberto Raúl, Aldao, C. M. |
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Lenguaje: | Español |
Publicado: |
1991
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Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v03_n01_p079 |
Aporte de: |
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