Interdifusión en películas de HG₁₋ₓCdₓTe sobre Cd Te
Se crecen películas de HG₁₋ₓCdₓTe (MCT) con x=0,2 por la técnica de VPE (epitaxia en fase vapor) sobre CdTe orientado (111)Te, (111)Cd, (110) y (110), en un rango de temperaturas (593± 1)°C<T<(615±1)°C con una sobre-presión de HG de 1,9atm. Los "Films" se caracterizaron estructural y...
Guardado en:
| Autores principales: | , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1992
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v04_n01_p270 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se crecen películas de HG₁₋ₓCdₓTe (MCT) con x=0,2 por la técnica de VPE (epitaxia en fase vapor) sobre CdTe orientado (111)Te, (111)Cd, (110) y (110), en un rango de temperaturas (593± 1)°C<T<(615±1)°C con una sobre-presión de HG de 1,9atm. Los "Films" se caracterizaron estructural y eléctricamente. Los perfiles de difusión (concentración) fueron analizados con microsonda electrónica y la distribución de dislocaciones fue estudiada sobre planos de clivaje {110}. Los coeficientes de interdifusión fueron medidos con dos métodos diferentes. Se estudió la distribución de los agujeros hallados en la interfase de algunos crecimientos y se discuten las causas de su aparición |
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