Propiedades armónicas del silicio
Mostramos que la falla en un trabajo anterior, al describir el corrimiento en frecuencia Δ y el ancho de línea Γ del fonón óptico de centro de zona en silicio, proviene de no haber tenido en cuenta los efectos de la polarizabilidad electrónica de los iones en el tratamiento perturbativo de las inter...
Guardado en:
| Autores principales: | , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1993
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p384 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Mostramos que la falla en un trabajo anterior, al describir el corrimiento en frecuencia Δ y el ancho de línea Γ del fonón óptico de centro de zona en silicio, proviene de no haber tenido en cuenta los efectos de la polarizabilidad electrónica de los iones en el tratamiento perturbativo de las interacciones anarmónicas en un modelo de capas. Dicho modelo incluye interacciones anarmónicas cúbicas entre las capas electrónicas de átomos primeros vecinos. Aplicamos una teoría perturbativa que desarrollamos previamente, en la cual se tiene adecuadamente en cuenta la polarización adiabática de las capas electrónicas. Obtenemos Δ y Γ como funciones de la temperatura en buen acuerdo con los datos experimentales |
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