Propiedades armónicas del silicio

Mostramos que la falla en un trabajo anterior, al describir el corrimiento en frecuencia Δ y el ancho de línea Γ del fonón óptico de centro de zona en silicio, proviene de no haber tenido en cuenta los efectos de la polarizabilidad electrónica de los iones en el tratamiento perturbativo de las inter...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Koval, S., Migoni, R. L.
Lenguaje:Español
Publicado: 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p384
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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