Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial

Se efectuaron simulaciones numéricas de celdas de silicio para uso espacial con estructura n+pp+ y n+p, espesores entre 100 μm y 300 μm, con y sin pasivación de la cara posterior (c.p.), resistividades de la base entre 1 Ωcm y 10 Ω...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Yang, Sung Min, Plá, Juan Carlos
Formato:	Articulo
Lenguaje:	Español
Publicado:	2006
Materias:	Ingeniería Ciencias Exactas Energía solar Energía Fotovoltaica Celdas Solares Silicio aplicaciones espaciales simulación numérica
Acceso en línea:	http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/87750
Aporte de:	SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata

id	I19-R120-10915-87750
record_format	dspace
institution	Universidad Nacional de La Plata
institution_str	I-19
repository_str	R-120
collection	SEDICI (UNLP)
language	Español
topic	Ingeniería Ciencias Exactas Energía solar Energía Fotovoltaica Celdas Solares Silicio aplicaciones espaciales simulación numérica
spellingShingle	Ingeniería Ciencias Exactas Energía solar Energía Fotovoltaica Celdas Solares Silicio aplicaciones espaciales simulación numérica Yang, Sung Min Plá, Juan Carlos Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial
topic_facet	Ingeniería Ciencias Exactas Energía solar Energía Fotovoltaica Celdas Solares Silicio aplicaciones espaciales simulación numérica
description	Se efectuaron simulaciones numéricas de celdas de silicio para uso espacial con estructura n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup> y n<sup>+</sup>p, espesores entre 100 μm y 300 μm, con y sin pasivación de la cara posterior (c.p.), resistividades de la base entre 1 Ωcm y 10 Ωcm, y en condiciones BOL (<i>beginning of life</i>) y EOL (<i>end of life</i>). Se analizó la influencia de la estructura de la celda, el espesor de la misma y el daño por radiación sobre la respuesta eléctrica de los dispositivos. Se encontró, entre otros resultados, que la pasivación es más efectiva que el BSF (<i>back surface field</i>) para combatir la recombinación superficial; además, una vez pasivada la c.p., el BSF introduce sólo una pequeña mejora. Asimismo, se observó el aumento de la resistencia al daño por radiación con la resistividad de la base ρ<sub>b</sub>, en paralelo a una cierta disminución de la eficiencia con ρ<sub>b</sub>.
format	Articulo Articulo
author	Yang, Sung Min Plá, Juan Carlos
author_facet	Yang, Sung Min Plá, Juan Carlos
author_sort	Yang, Sung Min
title	Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial
title_short	Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial
title_full	Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial
title_fullStr	Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial
title_full_unstemmed	Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial
title_sort	simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial
publishDate	2006
url	http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/87750
work_keys_str_mv	AT yangsungmin simulacionesnumericasdeceldasdesiliciocristalinoparausoespacial AT plajuancarlos simulacionesnumericasdeceldasdesiliciocristalinoparausoespacial
bdutipo_str	Repositorios
_version_	1764820489360900096

Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial

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