Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial

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Se efectuaron simulaciones numéricas de celdas de silicio para uso espacial con estructura n+pp+ y n+p, espesores entre 100 μm y 300 μm, con y sin pasivación de la cara posterior (c.p.), resistividades de la base entre 1 Ωcm y 10 Ω...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Yang, Sung Min, Plá, Juan Carlos
Formato:	Articulo
Lenguaje:	Español
Publicado:	2006
Materias:	Ingeniería Ciencias Exactas Energía solar Energía Fotovoltaica Celdas Solares Silicio aplicaciones espaciales simulación numérica
Acceso en línea:	http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/87750
Aporte de:	SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata

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description	Se efectuaron simulaciones numéricas de celdas de silicio para uso espacial con estructura n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup> y n<sup>+</sup>p, espesores entre 100 μm y 300 μm, con y sin pasivación de la cara posterior (c.p.), resistividades de la base entre 1 Ωcm y 10 Ωcm, y en condiciones BOL (<i>beginning of life</i>) y EOL (<i>end of life</i>). Se analizó la influencia de la estructura de la celda, el espesor de la misma y el daño por radiación sobre la respuesta eléctrica de los dispositivos. Se encontró, entre otros resultados, que la pasivación es más efectiva que el BSF (<i>back surface field</i>) para combatir la recombinación superficial; además, una vez pasivada la c.p., el BSF introduce sólo una pequeña mejora. Asimismo, se observó el aumento de la resistencia al daño por radiación con la resistividad de la base ρ<sub>b</sub>, en paralelo a una cierta disminución de la eficiencia con ρ<sub>b</sub>.
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