Primeras experiencias de diseño, fabricación y caracterización de diodos de paso para celdas solares de uso espacial

Se presentan los primeros desarrollos en la elaboración y caracterización eléctrica de diodos de paso de silicio para uso espacial. Se elaboraron diodos con dos tipos de juntura: n<sup>+</sup>p y n<sup>+</sup>pp+<sup>+</sup> Se detalla el proceso de fabricación de...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Altamirano, Martín, Cadena, Carlos Alberto, Martínez Bogado, Mónica Gladys, Rodríguez, S. E., Tamasi, Mariana Julia Luisa
Formato: Articulo
Lenguaje:Español
Publicado: 2006
Materias:
Ciencias Exactas
Ingeniería
Energía solar
Energía Fotovoltaica
diodos de paso
Silicio
juntura p-n
usos espaciales
Acceso en línea:http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/87766
Aporte de:
SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata
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spelling I19-R120-10915-877662023-05-15T16:06:58Z http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/87766 issn:0329-5184 Primeras experiencias de diseño, fabricación y caracterización de diodos de paso para celdas solares de uso espacial Altamirano, Martín Cadena, Carlos Alberto Martínez Bogado, Mónica Gladys Rodríguez, S. E. Tamasi, Mariana Julia Luisa 2006 2019-12-19T18:28:39Z es Ciencias Exactas Ingeniería Energía solar Energía Fotovoltaica diodos de paso Silicio juntura p-n usos espaciales Se presentan los primeros desarrollos en la elaboración y caracterización eléctrica de diodos de paso de silicio para uso espacial. Se elaboraron diodos con dos tipos de juntura: n<sup>+</sup>p y n<sup>+</sup>pp+<sup>+</sup> Se detalla el proceso de fabricación de este dispositivo, que requiere el uso de técnicas similares a las empleadas en la elaboración de celdas fotovoltaicas: oxidación, difusión de dopantes, fotolitografía y deposición de contactos metálicos. Si bien ésta tecnología es bien conocida y se puede encontrar en los libros de texto, éstos dispositivos son los primeros que se fabrican íntegramente en el país. Se caracterizaron eléctricamente mediante la medición de la curva corriente-tensión (I-V) sin control de temperatura. Asimismo, para estudiar el funcionamiento del dispositivo, tanto desde el punto de vista eléctrico como electrónico, se presentan simulaciones teóricas con los programas PC1D5 y Simusol. This paper presents our early developments on the elaboration and electric characterization of silicon bypass diode for space uses. Two different types of junction diode were manufactured: n<sup>+</sup>p and n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup>. The elaboration´s processes of those devices which requires similar techniques to those utilized in the manufacture of photovoltaic cells is detailed: oxidation, phosphorus diffusion, photolithography and metallic contact deposition. Current-Voltage curves with no temperature control were measured and theoretical simulations using PC1D5 and Simusol programs were presented. Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES) Articulo Articulo http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0) application/pdf 91-98
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