Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT

Resumen: Los materiales dieléctricos son ampliamente utilizados en el sector energético, estando a veces sometidos a condiciones de alto estrés eléctrico, mecánico y ambiental en general, que los ponen al borde de procesos y mecanismos de degradación que conllevan a una probable falla futura. Los ge...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Salvatierra, Lucas Matías, Kovalevski, Laura I., Dammig Quiña, Pablo L., Irurzun, Isabel M., Mola, Eduardo E., Herrera, Luis Alberto
Formato: Artículo
Lenguaje:Español
Publicado: Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería "Fray Rogelio Bacon". Departamento de Investigación Institucional 2019
Materias:
Acceso en línea:https://repositorio.uca.edu.ar/handle/123456789/5928
Aporte de:
id I33-R139123456789-5928
record_format dspace
institution Universidad Católica Argentina
institution_str I-33
repository_str R-139
collection Repositorio Institucional de la Universidad Católica Argentina (UCA)
language Español
topic ELECTRICIDAD
TRANSISTORES
MECANISMOS DE CURADO
spellingShingle ELECTRICIDAD
TRANSISTORES
MECANISMOS DE CURADO
Salvatierra, Lucas Matías
Kovalevski, Laura I.
Dammig Quiña, Pablo L.
Irurzun, Isabel M.
Mola, Eduardo E.
Herrera, Luis Alberto
Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
topic_facet ELECTRICIDAD
TRANSISTORES
MECANISMOS DE CURADO
description Resumen: Los materiales dieléctricos son ampliamente utilizados en el sector energético, estando a veces sometidos a condiciones de alto estrés eléctrico, mecánico y ambiental en general, que los ponen al borde de procesos y mecanismos de degradación que conllevan a una probable falla futura. Los geles dieléctricos han comenzado a ser ampliamente utilizados en aplicaciones de encapsulamiento de transistores de alta potencia tipo IGBTs (del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), donde se manejan tensiones y corrientes considerables. En la mayoría de los casos, se necesita una protección para evitar descargas en fase gaseosa, ingreso de humedad al circuito y amortiguamiento mecánico para vibraciones. En el presente trabajo caracterizamos con diferentes técnicas aspectos destacables de este tipo de encapsulantes a base de un gel bifásico de silicona. Para observar el proceso de curado se empleó la técnica de espectroscopía de absorción infrarroja (FTIR), junto con la reología oscilatoria desde las propiedades mecánicas. A su vez, esta última, sirvió para comparar información provista por un novedoso concepto que implica observar a estas últimas desde el interior, a partir de la evolución de cavidades gaseosas generadas eléctricamente. Se comprobó que el comportamiento de estas cavidades es sensible a la historia previa del material, es decir, mecanismos de curado y envejecimiento previo.
format Artículo
author Salvatierra, Lucas Matías
Kovalevski, Laura I.
Dammig Quiña, Pablo L.
Irurzun, Isabel M.
Mola, Eduardo E.
Herrera, Luis Alberto
author_facet Salvatierra, Lucas Matías
Kovalevski, Laura I.
Dammig Quiña, Pablo L.
Irurzun, Isabel M.
Mola, Eduardo E.
Herrera, Luis Alberto
author_sort Salvatierra, Lucas Matías
title Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title_short Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title_full Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title_fullStr Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title_full_unstemmed Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title_sort comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo igbt
publisher Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería "Fray Rogelio Bacon". Departamento de Investigación Institucional
publishDate 2019
url https://repositorio.uca.edu.ar/handle/123456789/5928
work_keys_str_mv AT salvatierralucasmatias comportamientomecanicoyelectricodeungeldesiliconaempleadoenelencapsulamientodetransistoresdepotenciatipoigbt
AT kovalevskilaurai comportamientomecanicoyelectricodeungeldesiliconaempleadoenelencapsulamientodetransistoresdepotenciatipoigbt
AT dammigquinapablol comportamientomecanicoyelectricodeungeldesiliconaempleadoenelencapsulamientodetransistoresdepotenciatipoigbt
AT irurzunisabelm comportamientomecanicoyelectricodeungeldesiliconaempleadoenelencapsulamientodetransistoresdepotenciatipoigbt
AT molaeduardoe comportamientomecanicoyelectricodeungeldesiliconaempleadoenelencapsulamientodetransistoresdepotenciatipoigbt
AT herreraluisalberto comportamientomecanicoyelectricodeungeldesiliconaempleadoenelencapsulamientodetransistoresdepotenciatipoigbt
bdutipo_str Repositorios
_version_ 1764820528359538689