Identificación de fallas en CI y sistemas tolerantes a fallas en tecnologías nanométricas con aplicación en detectores de radiación de bajo coste

Este proyecto es la continuación dentro de una línea de trabajo relacionada con el testing de Circuitos Integrados (CI) y sistemas robustos. Se han obtenido resultados en los proyectos previos acerca de técnicas para testear CI analógicos, con defectos por radiación [2-6]. En el área digital, se han...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Petrashin, Pablo Antonio dir.
Formato: proyecto_de_investigacion
Lenguaje:Español
Publicado: 2019
Materias:
QC Física
T Tecnología (General)
TK ingeniería eléctrica. Ingeniería electrónica nuclear
Acceso en línea:http://pa.bibdigital.ucc.edu.ar/1750/1/PI_Petrashin.pdf
Aporte de:
Producción Académica Universidad Católica de Córdoba (UCCor) de Universidad Católica de Córdoba
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description Este proyecto es la continuación dentro de una línea de trabajo relacionada con el testing de Circuitos Integrados (CI) y sistemas robustos. Se han obtenido resultados en los proyectos previos acerca de técnicas para testear CI analógicos, con defectos por radiación [2-6]. En el área digital, se han estudiado configuraciones de celdas de memoria con inmunidad a la radiación. Asimismo, se han presentado ideas orientadas a la implementación de un microporcesador elemental con características de tolerancia a fallas.En el presente proyecto se pretende el estudio de técnicas económicas de sensado de radiación y su robustez, incluida vida útil y campos de aplicación. En particular se pretende realizar un estudio del MOSFET (transistor de efecto de campo) como sensor y dosímetro de radiación ionizante. Esto permitirá contar con un sensor barato en comparación con los dispositivos comerciales.La señal eléctrica utilizada como parámetro dosimétrico es la tensión umbral. La funcionalidad de estos componentes se basa en la ionización inducida por radiación en SiO2, que da como resultado un aumento de la carga positiva atrapada en el SiO2 y las trampas de interfaz en Si-SiO2, conduce a un cambio en el voltaje umbral.
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