Propiedades ópticas in situ de sistemas de capas múltiples nanoestructuradas
Presentamos una técnica de medición de reflectancia en tiempo real para analizar, en el transcurso del anodi- zado electroquímico de Silicio, el crecimiento de una Película de Silicio Poroso (PSP). Empleando además la determinación independiente del espectro de reflectancia de la PSP seca, logra...
Guardado en:
| Autores principales: | , , , |
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| Formato: | Artículo |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Asociación Física Argentina
2026
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://repositorio.unne.edu.ar/handle/123456789/60001 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Presentamos una técnica de medición de reflectancia en tiempo real para analizar, en el transcurso del anodi-
zado electroquímico de Silicio, el crecimiento de una Película de Silicio Poroso (PSP). Empleando además la
determinación independiente del espectro de reflectancia de la PSP seca, logramos correlacionar la porosidad
y el espesor de la película con la densidad de corriente del anodizado. Esta información es útil para diseñar
espejos dieléctricos con una sintonización óptima de su banda de reflexión. |
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