Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Real, M.A., Tonina, A., Elmquist, R.E., Lass, E.A., Liu, F.H., Soons, J., Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, National Institute of Standards and Tecgnology. NIST. Maryland, AR, TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 11
Formato: article
Lenguaje:Español
Publicado: INTI 2013
Materias:
Circuitos integrados
Carburos
Silicio
Acceso en línea:http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH6698/6f27f899.dir/doc.pdf
Aporte de:
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) de INTI
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