id I64-R170-10665-2048
record_format dspace
spelling I64-R170-10665-20482022-10-20T11:47:57Z Formation a base temperature de defauts dans le silicium N bombarde par des rayons γ note Messier, J Merlo Flores, J. HALL EFFECT RESISTIVITY SURVEYS SILICON LOW TEMPERATURE IRRADIATION Fil: Messier, J Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina Merlo Flores, J. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina Académie des Sciences, France 1964 ARTÍCULO CIENTÍFICO Versión publicada application/pdf https://www.cnea.gob.ar/nuclea/handle/10665/2048 fra Seances Acad. Sci. (3 Ago 1964)
institution Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA)
institution_str I-64
repository_str R-170
collection Nuclea - Repositorio Institucional de la Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA)
language fra
topic Formation a base temperature de defauts dans le silicium N bombarde par des rayons γ note
HALL EFFECT
RESISTIVITY SURVEYS
SILICON
LOW TEMPERATURE
IRRADIATION
spellingShingle Formation a base temperature de defauts dans le silicium N bombarde par des rayons γ note
HALL EFFECT
RESISTIVITY SURVEYS
SILICON
LOW TEMPERATURE
IRRADIATION
Messier, J
Merlo Flores, J.
topic_facet Formation a base temperature de defauts dans le silicium N bombarde par des rayons γ note
HALL EFFECT
RESISTIVITY SURVEYS
SILICON
LOW TEMPERATURE
IRRADIATION
description Fil: Messier, J Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
format ARTÍCULO CIENTÍFICO
Versión publicada
author Messier, J
Merlo Flores, J.
author_facet Messier, J
Merlo Flores, J.
author_sort Messier, J
publisher Académie des Sciences, France
publishDate 1964
url https://www.cnea.gob.ar/nuclea/handle/10665/2048
_version_ 1809313162954014720