Propiedades armónicas del silicio

Mostramos que la falla en un trabajo anterior, al describir el corrimiento en frecuencia Δ y el ancho de línea Γ del fonón óptico de centro de zona en silicio, proviene de no haber tenido en cuenta los efectos de la polarizabilidad electrónica de los iones en el tratamiento perturbativo de las inter...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Koval, Sergio Fabián, Migoni, Ricardo Luis
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p384
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id afa:afa_v05_n01_p384
record_format dspace
spelling afa:afa_v05_n01_p3842025-03-11T11:26:08Z Propiedades armónicas del silicio An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):384-387 Koval, Sergio Fabián Migoni, Ricardo Luis Mostramos que la falla en un trabajo anterior, al describir el corrimiento en frecuencia Δ y el ancho de línea Γ del fonón óptico de centro de zona en silicio, proviene de no haber tenido en cuenta los efectos de la polarizabilidad electrónica de los iones en el tratamiento perturbativo de las interacciones anarmónicas en un modelo de capas. Dicho modelo incluye interacciones anarmónicas cúbicas entre las capas electrónicas de átomos primeros vecinos. Aplicamos una teoría perturbativa que desarrollamos previamente, en la cual se tiene adecuadamente en cuenta la polarización adiabática de las capas electrónicas. Obtenemos Δ y Γ como funciones de la temperatura en buen acuerdo con los datos experimentales We show that a previous failure to describe the frecuency shift Δ and the linewidth Γ of the optical zone center mode in Silicon, arises from the neglect of the electronic polarizability effects in the perturbative treatment of a shell model, which includes cubic anharmonic interactions between nearest neighbour atomic shells. By using an anharmonic perturbative development which takes properly into account the adiabatic constraints for the shell polarization, we obtain Δ and Γ as functions of temperature in good agreement with experimental data Fil: Koval, Sergio Fabián. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina Fil: Migoni, Ricardo Luis. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 1993 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p384
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv spa
description Mostramos que la falla en un trabajo anterior, al describir el corrimiento en frecuencia Δ y el ancho de línea Γ del fonón óptico de centro de zona en silicio, proviene de no haber tenido en cuenta los efectos de la polarizabilidad electrónica de los iones en el tratamiento perturbativo de las interacciones anarmónicas en un modelo de capas. Dicho modelo incluye interacciones anarmónicas cúbicas entre las capas electrónicas de átomos primeros vecinos. Aplicamos una teoría perturbativa que desarrollamos previamente, en la cual se tiene adecuadamente en cuenta la polarización adiabática de las capas electrónicas. Obtenemos Δ y Γ como funciones de la temperatura en buen acuerdo con los datos experimentales
format Artículo
Artículo
publishedVersion
author Koval, Sergio Fabián
Migoni, Ricardo Luis
spellingShingle Koval, Sergio Fabián
Migoni, Ricardo Luis
Propiedades armónicas del silicio
author_facet Koval, Sergio Fabián
Migoni, Ricardo Luis
author_sort Koval, Sergio Fabián
title Propiedades armónicas del silicio
title_short Propiedades armónicas del silicio
title_full Propiedades armónicas del silicio
title_fullStr Propiedades armónicas del silicio
title_full_unstemmed Propiedades armónicas del silicio
title_sort propiedades armónicas del silicio
publisher Asociación Física Argentina
publishDate 1993
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p384
work_keys_str_mv AT kovalsergiofabian propiedadesarmonicasdelsilicio
AT migoniricardoluis propiedadesarmonicasdelsilicio
_version_ 1831980759970217984

Ejemplares similares