Generación de estados superficiales en la interface SiON-Si por inyección túnel en transistores PMOS
Se investigó la generación de estados superficiales por inyección túnel en la interface aislante-silicio y su distribución energética en función de la carga inyectada y de la polaridad de inyección en transistores PMOS con películas delgadas de dióxido de silicio y oxinitruro de silicio como aislant...
| Autores principales: | Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor |
|---|---|
| Formato: | Artículo publishedVersion |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Asociación Física Argentina
1993
|
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p448 |
| Aporte de: |
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