Generación de estados superficiales en la interface SiON-Si por inyección túnel en transistores PMOS

Se investigó la generación de estados superficiales por inyección túnel en la interface aislante-silicio y su distribución energética en función de la carga inyectada y de la polaridad de inyección en transistores PMOS con películas delgadas de dióxido de silicio y oxinitruro de silicio como aislant...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p448
Aporte de:

Ejemplares similares