Generación de estados superficiales en la interface SiON-Si por inyección túnel en transistores PMOS

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Se investigó la generación de estados superficiales por inyección túnel en la interface aislante-silicio y su distribución energética en función de la carga inyectada y de la polaridad de inyección en transistores PMOS con películas delgadas de dióxido de silicio y oxinitruro de silicio como aislant...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p448
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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