Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio

Mostrar todas las versiones(2)

En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio obtenidas por deposición electroquímica sobre substratos de titanio. La caracterización efectuada comprende la caracterización de la morfología superficial mediante microscopía ó...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Gueijman, Sergio Fabián, Lamagna, Alberto, Schvezov, Carlos Enrique
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1996
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p201
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id afa:afa_v08_n01_p201
record_format dspace
spelling afa:afa_v08_n01_p2012025-03-11T11:28:47Z Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1996;01(08):201-206 Gueijman, Sergio Fabián Lamagna, Alberto Schvezov, Carlos Enrique En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio obtenidas por deposición electroquímica sobre substratos de titanio. La caracterización efectuada comprende la caracterización de la morfología superficial mediante microscopía óptica y microscopía electrónica de barrido (SEM). Se presentan los resultados de la caracterización química puntual en distintas regiones de las películas por microsonda electrónica efectuados en el material depositado que dan el análisis cuantitativo aproximado de fósforo e indio presentes en las películas, pudiéndose inferir acerca de la presencia de un compuesto casi estequiométrico de fosfuro de indio, en ciertas circunstancias. Se presenta una estimación del espesor de las películas. Se verificó que el espesor es variable y dependiente de diversos parámetros de deposición. Además, se observó que, en las condiciones de agitación, existe una dependencia del espesor de la película con la formación de burbujas de hidrógeno sobre las mismas Indium phosphide films deposited on titanium substrate by an electrochemical method are characterized and the results presented and discussed. The films were characterized morphologicaly by optical microscopy and scanning electronic microscopy (SEM). In addition microprobe analysis was performed showing the formation of a stoichiometric compound. Estimations of the film thickness indicate that the thickness is strongly dependent on the process parameters and conditions Fil: Gueijman, Sergio Fabián. Universidad Nacional de San Martín (UNSAm-CNEA). Instituto Sábato. Buenos Aires. Argentina Fil: Lamagna, Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Grupo Energía solar (CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina Fil: Schvezov, Carlos Enrique. Universidad Nacional de Misiones. Facultad de Ciencias Exactas, Químicas y Naturales (UNaM-FCEQyN). Misiones. Argentina Asociación Física Argentina 1996 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p201
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv spa
description En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio obtenidas por deposición electroquímica sobre substratos de titanio. La caracterización efectuada comprende la caracterización de la morfología superficial mediante microscopía óptica y microscopía electrónica de barrido (SEM). Se presentan los resultados de la caracterización química puntual en distintas regiones de las películas por microsonda electrónica efectuados en el material depositado que dan el análisis cuantitativo aproximado de fósforo e indio presentes en las películas, pudiéndose inferir acerca de la presencia de un compuesto casi estequiométrico de fosfuro de indio, en ciertas circunstancias. Se presenta una estimación del espesor de las películas. Se verificó que el espesor es variable y dependiente de diversos parámetros de deposición. Además, se observó que, en las condiciones de agitación, existe una dependencia del espesor de la película con la formación de burbujas de hidrógeno sobre las mismas
format Artículo
Artículo
publishedVersion
author Gueijman, Sergio Fabián
Lamagna, Alberto
Schvezov, Carlos Enrique
spellingShingle Gueijman, Sergio Fabián
Lamagna, Alberto
Schvezov, Carlos Enrique
Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio
author_facet Gueijman, Sergio Fabián
Lamagna, Alberto
Schvezov, Carlos Enrique
author_sort Gueijman, Sergio Fabián
title Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio
title_short Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio
title_full Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio
title_fullStr Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio
title_full_unstemmed Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio
title_sort caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio
publisher Asociación Física Argentina
publishDate 1996
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p201
work_keys_str_mv AT gueijmansergiofabian caracterizaciondepeliculassemiconductorasdefosfurodeindio
AT lamagnaalberto caracterizaciondepeliculassemiconductorasdefosfurodeindio
AT schvezovcarlosenrique caracterizaciondepeliculassemiconductorasdefosfurodeindio
_version_ 1831980776495775744

Ejemplares similares