Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio
En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio obtenidas por deposición electroquímica sobre substratos de titanio. La caracterización efectuada comprende la caracterización de la morfología superficial mediante microscopía ó...
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| Autores principales: | , , |
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| Formato: | Artículo publishedVersion |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Asociación Física Argentina
1996
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p201 |
| Aporte de: |
| Sumario: | En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio obtenidas por deposición electroquímica sobre substratos de titanio. La caracterización efectuada comprende la caracterización de la morfología superficial mediante microscopía óptica y microscopía electrónica de barrido (SEM). Se presentan los resultados de la caracterización química puntual en distintas regiones de las películas por microsonda electrónica efectuados en el material depositado que dan el análisis cuantitativo aproximado de fósforo e indio presentes en las películas, pudiéndose inferir acerca de la presencia de un compuesto casi estequiométrico de fosfuro de indio, en ciertas circunstancias. Se presenta una estimación del espesor de las películas. Se verificó que el espesor es variable y dependiente de diversos parámetros de deposición. Además, se observó que, en las condiciones de agitación, existe una dependencia del espesor de la película con la formación de burbujas de hidrógeno sobre las mismas |
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