Variaciones en la conductividad de muestras compensadas de μc-Si : H por efectos de recocido

Se presenta un estudio de los cambios producidos por recocidos isotérmicos en muestras micro-dopadas de silicio microcristalino (μc-Si:H) con diferentes grados de compensación. Las muestras fueron preparadas por deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD) utilizando diborano (B₂H...

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Autores principales: Dussán Cuenca, Anderson, Schmidt, Javier Alejandro, Arce, Roberto Delio, Koropecki, Roberto Román, Buitrago, Román Horacio
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2003
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v15_n01_p194
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v15_n01_p1942025-03-11T11:31:42Z Variaciones en la conductividad de muestras compensadas de μc-Si : H por efectos de recocido An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2003;01(15):194-197 Dussán Cuenca, Anderson Schmidt, Javier Alejandro Arce, Roberto Delio Koropecki, Roberto Román Buitrago, Román Horacio Se presenta un estudio de los cambios producidos por recocidos isotérmicos en muestras micro-dopadas de silicio microcristalino (μc-Si:H) con diferentes grados de compensación. Las muestras fueron preparadas por deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD) utilizando diborano (B₂H₆) en fase de gas como dopante. La temperatura de recocido fue de 150 °C, más baja que la temperatura de deposición (160 °C). Se realizaron mediciones de conductividad a oscuras (Oak) y densidad de estados (DOS) para explorar los efectos de recocido sobre las muestras. Las muestras resultan compensadas para concentraciones entre 50 y 75ppm. Para las muestras con concentraciones menores de boro se observó un suave incremento en la energía de activación (Eₐ) acompañado de una disminución en la oak con el aumento del tiempo de recocido acumulado; mientras que en las muestras con concentraciones mayores el efecto es inverso. Se encontró que el cambio en la σdₖ es más pronunciado en muestras que tienen más altas concentraciones de boro. No se observan cambios debido al recocido en muestras no dopadas. Las modificaciones en la DOS fueron inferidas a partir de mediciones de MPC (fotoconductividad modulada) y CPM (fotocorriente constante). Se propone un modelo que explica las variaciones en σdₖ basado en la activación de dopantes asistida térmicamente We present a study on changes produced by isothermally anneals in micro-doped microcrystalline silicon (uc-Si:H) samples with different degrees of compensation. Compensated μc-Si:H samples were grown by a conventional plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Diborane (B₂H₆) was used as the dopant gas. The annealing temperature was 150 °C, being this value lower than its deposition temperature. Measurements of dark conductivity (σdₖ ) and density of states (DOS) was formed for to explore the effects of the annealing on the samples properties. A compensated state was obtained for the μc-Si:H sample with a concentration between 50 and 75 ppm. Samples having low boron concentration show an increase in activation energy together with a decrease in dark conductivity as the annealing time is accumulated. We have found that the change in σdₖ is more pronounced in samples having a larger boron concentration, while it is no observed in the non-intentionally doped samples. Changes in density of states (DOS) are obtained through the modulated photocurrent method (MPC) and constant photocurrent method (CPM). We propose a model that explain the effect of the change in oak based on the thermal activation of the boron in this material Fil: Dussán Cuenca, Anderson. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 2003 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v15_n01_p194
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