Estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-Si:H mediante simulación numérica

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En este trabajo se evalúan sistemáticamente por medio de simulaciones numéricas las movilidades drift en junturas de a-Si:H de simple inyección del tipo m-i-m, donde “m” significa metal. Los valores obtenidos son comparados con los medidos. Se usan como datos de partida los parámetros eléctricos, en...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Ramirez Jiménez, Helena, De Greef, Marcelo Gastón, Rubinelli, Francisco Alberto
Formato:	Artículo publishedVersion
Lenguaje:	Español
Publicado:	Asociación Física Argentina 2011
Materias:	MOVILIDAD DRIFT SILICIO AMORFO CELDAS SOLARES DRIFT MOBILITY AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS
Acceso en línea:	https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v23_n02_p080
Aporte de:	Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

id	afa:afa_v23_n02_p080
record_format	dspace
spelling	afa:afa_v23_n02_p0802025-12-11T16:59:45Z Estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-Si:H mediante simulación numérica Study of the drift mobility in a-Si:H solar cells with numerical simulations An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2011;02(23):80-84 Ramirez Jiménez, Helena De Greef, Marcelo Gastón Rubinelli, Francisco Alberto MOVILIDAD DRIFT SILICIO AMORFO CELDAS SOLARES DRIFT MOBILITY AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS En este trabajo se evalúan sistemáticamente por medio de simulaciones numéricas las movilidades drift en junturas de a-Si:H de simple inyección del tipo m-i-m, donde “m” significa metal. Los valores obtenidos son comparados con los medidos. Se usan como datos de partida los parámetros eléctricos, en particular las movilidades de scattering resultantes de ajustes previos de curvas experimentales corriente tensión (J-V) y de respuesta espectral (SR) de junturas p-i-n de a-Si:H. Las simulaciones son realizadas con el código numérico D- AMPS, al cual se le incorporaron varias opciones para poder evaluar la movilidad drift teniendo en cuenta el atrapamiento de electrones y huecos en los estados de las colas exponenciales y en los profundos, o bien sólo en las colas exponenciales. Para ambos escenarios fue incorporada una opción que permite incluir en el cálculo de la carga atrapada sólo los niveles de energía de la banda prohibida donde el proceso de atrapamiento y reemisión de los portadores es compatible con los tiempos del experimento In this paper the drift mobilities in single m-i-m (where m stands for metal) injection structures of a-Si:H are systematically evaluated using numerical simulations. The resulting values are compared with the measured ones. The electrical parameters, in particular the scattering mobilities, resulting of previous fitting of experimental current-voltage (J-V) curves and spectral responses (SR) of a-Si:H based p-i-n structures are used as input data. The simulations were performed with the computer code D-AMPS to which several new options were incorporated in order to evaluate the drift mobility. These new options take into account either the trapping of electrons and holes at exponential band tail and deep states, or only at exponential band tail states. For both scenarios a new option was incorporated that allows the calculation of the trapped charge only at the energy levels of the band gap were trapping and re-emission processes of electrons and holes are compatible with the experimental times Fil: Ramirez Jiménez, Helena. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: De Greef, Marcelo Gastón. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Rubinelli, Francisco Alberto. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 2011 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v23_n02_p080
institution	Universidad de Buenos Aires
institution_str	I-28
repository_str	R-134
collection	Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language	Español
orig_language_str_mv	spa
topic	MOVILIDAD DRIFT SILICIO AMORFO CELDAS SOLARES DRIFT MOBILITY AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS
spellingShingle	MOVILIDAD DRIFT SILICIO AMORFO CELDAS SOLARES DRIFT MOBILITY AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS Ramirez Jiménez, Helena De Greef, Marcelo Gastón Rubinelli, Francisco Alberto Estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-Si:H mediante simulación numérica
topic_facet	MOVILIDAD DRIFT SILICIO AMORFO CELDAS SOLARES DRIFT MOBILITY AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS
description	En este trabajo se evalúan sistemáticamente por medio de simulaciones numéricas las movilidades drift en junturas de a-Si:H de simple inyección del tipo m-i-m, donde “m” significa metal. Los valores obtenidos son comparados con los medidos. Se usan como datos de partida los parámetros eléctricos, en particular las movilidades de scattering resultantes de ajustes previos de curvas experimentales corriente tensión (J-V) y de respuesta espectral (SR) de junturas p-i-n de a-Si:H. Las simulaciones son realizadas con el código numérico D- AMPS, al cual se le incorporaron varias opciones para poder evaluar la movilidad drift teniendo en cuenta el atrapamiento de electrones y huecos en los estados de las colas exponenciales y en los profundos, o bien sólo en las colas exponenciales. Para ambos escenarios fue incorporada una opción que permite incluir en el cálculo de la carga atrapada sólo los niveles de energía de la banda prohibida donde el proceso de atrapamiento y reemisión de los portadores es compatible con los tiempos del experimento
format	Artículo Artículo publishedVersion
author	Ramirez Jiménez, Helena De Greef, Marcelo Gastón Rubinelli, Francisco Alberto
author_facet	Ramirez Jiménez, Helena De Greef, Marcelo Gastón Rubinelli, Francisco Alberto
author_sort	Ramirez Jiménez, Helena
title	Estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-Si:H mediante simulación numérica
title_short	Estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-Si:H mediante simulación numérica
title_full	Estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-Si:H mediante simulación numérica
title_fullStr	Estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-Si:H mediante simulación numérica
title_full_unstemmed	Estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-Si:H mediante simulación numérica
title_sort	estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-si:h mediante simulación numérica
publisher	Asociación Física Argentina
publishDate	2011
url	https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v23_n02_p080
work_keys_str_mv	AT ramirezjimenezhelena estudiodelamovilidaddriftenceldassolaresdeasihmediantesimulacionnumerica AT degreefmarcelogaston estudiodelamovilidaddriftenceldassolaresdeasihmediantesimulacionnumerica AT rubinellifranciscoalberto estudiodelamovilidaddriftenceldassolaresdeasihmediantesimulacionnumerica AT ramirezjimenezhelena studyofthedriftmobilityinasihsolarcellswithnumericalsimulations AT degreefmarcelogaston studyofthedriftmobilityinasihsolarcellswithnumericalsimulations AT rubinellifranciscoalberto studyofthedriftmobilityinasihsolarcellswithnumericalsimulations
_version_	1851368529059643392

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